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J-GLOBAL ID：200903015598654371

半導体レーザ素子

Inventor： 梶村 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025019
Publication number (International publication number)：1996236861
Application date： Dec. 24, 1984
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】量産化に適した半導体レーザの素子構造を提供する。【構成】半導体基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層し、この半導体層の上面から半導体基板に向けて凹部を形成して作製しようとする複数の半導体レーザ素子毎に半導体層を分割した後、半導体層の側面(凹部表面)に誘電体膜を形成する。この後、凹部の底面において複数の半導体レーザ素子間を結合する半導体基板を切断し、これらの半導体レーザ素子を個々別々のチップ(図1参照)に分ける。【効果】複数の半導体レーザ素子を、同一のウエーハ上に形成したまま各々の端面に誘電体からなる保護膜をできるため、半導体レーザ素子の生産効率を飛躍的に高める。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に積層された活性層を含む複数の半導体層と、該半導体層の上面に形成された電極からなる半導体レーザ素子において、上記半導体層の側面から上記半導体基板の側面にかけて誘電体からなる膜が形成され、且つ該半導体基板の側面は該誘電体が形成されない領域を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-048977
  
• 特開昭55-141773
  
• 特開昭59-115583
  
• 特開昭61-099395