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J-GLOBAL ID：200903015603786982

半導体装置の製造方法

Inventor： 窪田 勉 ,  佐藤 暢章 ,  半田 治
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996234718
Publication number (International publication number)：1998064898
Application date： Aug. 16, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 酸化膜の膜厚を少ない工程数で容易かつ選択的に増大させ、しかも酸化膜を均一に形成することのできる、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1の表面上にゲート酸化膜を形成するに際して、前記酸化膜に隣接したポリシリコン層20又は前記表面下にフッ素21をイオン注入し、加熱処理によってゲート酸化膜23を成長させて膜厚を増大させるようにした、バッファ回路部を有するダイナミックRAM等の半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基体の表面上に酸化膜を形成するに際して、前記酸化膜に隣接した層又は前記半導体基体の表面下にハロゲンを含有させ、加熱処理によって酸化膜を成長させるようにした、半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 G