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J-GLOBAL ID：200903015608422318

シリコン残渣除去方法

Inventor： 鈴木 民人
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000288971
Publication number (International publication number)：2002100603
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ウエハ上のシリコン残渣を均一性よく除去する。【解決手段】 シリコン残渣を除去すべき面が上になるようにして被処理ウエハ14を枚葉式スピナのウエハチャック12で平面的に保持した状態でウエハ14の上面にTMAH(テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド)又は塩化コリンを含むシリコン除去液を供給した後(又は供給しつつ)ウエハチャック12によりウエハ14をスピン回転させてシリコン残渣をエッチングする。ウエハ14のスピン回転数を20〜40[rpm]程度に低く設定すると、ウエハ14の上面でシリコン除去液18が矢印B,Cで示すように循環するため、シリコン残渣を均一性よく除去できると共に、液滴18a,18bの落下による液量減少を抑制でき、エッチング時間に比例したエッチング量が得られる。

Claim (excerpt)：

シリコン残渣を除去すべき面が上になるようにして被処理ウエハを枚葉式スピナのウエハチャックで平面的に保持するステップと、前記被処理ウエハの上面にシリコン除去液を供給して表面張力で保持させるステップと、前記シリコン除去液を前記被処理ウエハの上面に沿って循環させるように前記ウエハチャックにより前記処理ウエハをスピン回転させるステップとを含むシリコン残渣除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 643

FI (3)：

H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/306 G ,  H01L 21/306 S

F-Term (14)：

5F043AA02 ,  5F043AA32 ,  5F043BB03 ,  5F043BB22 ,  5F043DD02 ,  5F043DD10 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043EE04 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-061389   Applicant：日本電気株式会社