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J-GLOBAL ID：200903015631023889

半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997040142
Publication number (International publication number)：1998223531
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶性珪素膜中から結晶化を助長する触媒元素のみを選択的に除去するための技術を提供する。【解決手段】 結晶化を助長する触媒元素を添加した非晶質珪素膜103に加熱処理を施し結晶性珪素膜105を得る。次に、前記触媒元素と反応して有機化合物を形成するガス(代表的に一酸化炭素)を含む雰囲気中で加熱処理を行う。この時、触媒元素はガス成分と反応して揮発性の有機化合物を形成し、気相中へと離脱するため、膜内部に残存する触媒元素は選択的に除去又は低減される。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持させる工程と、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成させる工程と、前記触媒元素と反応して有機化合物を形成するガスを含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記結晶性珪素膜中の前記触媒元素を除去又は低減する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z