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J-GLOBAL ID：200903015645197170

光電変換半導体装置

Inventor： 佐藤 恵二 ,  斉藤 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996143367
Publication number (International publication number)：1997331051
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ダイナミックレンジが広く、周波数特性にすぐれた増幅機能をもつ光電変換半導体装置。【解決手段】 N-型基板11にP-ウェル41を形成し、その中にP+型不純物領域44とその電極であるウェル電極14、ドレイン領域15、ソース領域16とその電極であるドレイン電極17、ソース電極18およびゲート絶縁膜19、ゲート電極20を形成する。P-ウェル41は、N+型不純物領域42とその電極であるN+型電極43で周囲を囲み、反対の面を裏面N+型不純物領域29とその電極である裏面N+型電極53を形成し、N-型基板11とP-ウェル42によりPN接合を形成する。

Claim (excerpt)：

NMOSトランジスタを形成した基板領域(ウェル)と前記基板領域に延びる空乏層の形成手段を同一半導体基板に有し、前記空乏層への入射光による前記基板領域の電位変化を前記NMOSトランジスタの出力とすることを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (5)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/14 J ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A