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J-GLOBAL ID：200903015657523979

半導体デバイスのシリサイド形成方法

Inventor： ラマヌジャプラム エー. スリニヴァス ,  ブライアン メッツガー ,  スゥリン ワン ,  フレデリック シー. ウー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191709
Publication number (International publication number)：2001203171
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、シリコン基板に接触するシリサイド層を形成するための方法を与える。【解決手段】 本方法は、Si基板上にメタル含有層を形成するステップと、メタル含有層を、Si基板とは別の珪素含有ソースに曝露するステップとを有している。メタル含有層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソースを主な出所とするシリコンを有するメタルシリサイド層を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に接触するシリサイド層を形成する方法であって、(a)シリコン基板に接触してメタル含有層を形成するステップと、(b)シリコン基板とは別の珪素含有ソースに該メタル含有層を曝露するステップと、(c)該メタル含有層を該珪素含有ソースと反応させて、メタルシリサイド層を形成するステップとを有し、該メタルシリサイド層が、該珪素含有ソースから本質的に由来する珪素により形成される方法。

IPC (7)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 P