Pat
J-GLOBAL ID：200903015669408628
不揮発性半導体メモリ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174232
Publication number (International publication number)：1994019778
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、磁気ディスク装置と同等の寿命を実現し、また高い信頼性を確保することを目的とする。【構成】 複数の記憶領域に対するデータの書き込みに際しその物理的な配置等にしたがって一方向に循環して使用されるように管理する第1の管理手段21と、複数の記憶領域に記録されたデータが所定の時点から後に変更されたか否かを管理する第2の管理手段22と、予め定められた条件が成立した時点で第2の管理手段22が初期化された時点より後にはデータが変更されていない記憶領域を選択しその記憶領域のデータを他の記憶領域に移動させる制御手段とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
管理の単位となる容量で区切られた複数の記憶領域を備えたメモリ手段と、複数の前記記憶領域に対するデータの書き込みに際し当該複数の記憶領域が物理的或いは論理的な配置にしたがって一方向に循環して使用されるように管理する第1の管理手段と、複数の前記記憶領域に記録されたデータが所定の時点から後に変更されたか否かを管理する第2の管理手段と、データの書き込みにより予め定められた条件が成立した時点で前記第2の管理手段が初期化された時点より後にはデータが変更されていない前記記憶領域を選択しこの選択した記憶領域のデータを他の記憶領域に移動させるとともに全ての記憶領域のデータが変更されたと見なされる場合には当該第2の管理手段を初期化する制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2)：
G06F 12/02 530
, G11C 16/06
Cited by examiner (10)
Show all
Return to Previous Page
