Pat
J-GLOBAL ID:200903015676617291
流体センサ及び方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
古谷 聡
, 溝部 孝彦
, 西山 清春
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005081091
Publication number (International publication number):2005283578
Application date: Mar. 22, 2005
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
【課題】ナノスケール流体センサを製造するための効率的な方法の提供【解決手段】周囲温度を有する環境において用いるための流体センサであって、その流体センサが、機能化された半導体ナノワイヤを含む電界効果トランジスタ(FET)(15)と、電界効果トランジスタに近接して配置され、電界効果トランジスタを周囲温度よりも高い温度まで加熱するための一体型ヒータ(110)と、電界効果トランジスタを高い温度に維持するために配置された一体型断熱材(30)とを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt):
周囲温度を有する環境において用いるための流体センサであって、その流体センサが、
a)機能化された半導体ナノワイヤを含む電界効果トランジスタ(FET)と、
b)前記電界効果トランジスタに近接して配置され、前記電界効果トランジスタを前記周囲温度よりも高い温度まで加熱するための一体型ヒータと、及び
c)前記電界効果トランジスタを前記高い温度に維持するために配置された一体型断熱材とを含む、流体センサ。
IPC (7):
G01N27/00
, G01N27/04
, G01N27/06
, G01N27/12
, G01N27/22
, H01L29/06
, H01L29/786
FI (10):
G01N27/00 J
, G01N27/04 Z
, G01N27/06 A
, G01N27/12 N
, G01N27/22 A
, G01N27/22 B
, H01L29/06 601N
, H01L29/78 625
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617J
F-Term (80):
2G046AA01
, 2G046AA30
, 2G046BA06
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BE03
, 2G046BJ02
, 2G046DB04
, 2G046DB05
, 2G046DC02
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046EA08
, 2G046EA11
, 2G046FA02
, 2G046FB01
, 2G046FE00
, 2G046FE02
, 2G046FE09
, 2G046FE12
, 2G046FE16
, 2G046FE25
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE33
, 2G046FE35
, 2G046FE39
, 2G046FE44
, 2G046FE46
, 2G046FE48
, 2G060AA01
, 2G060AA05
, 2G060AE16
, 2G060AE40
, 2G060AF07
, 2G060AF10
, 2G060AG01
, 2G060AG04
, 2G060AG15
, 2G060BA07
, 2G060BB03
, 2G060BB09
, 2G060BB18
, 2G060BD02
, 2G060DA02
, 2G060DA13
, 2G060DA14
, 2G060DA28
, 2G060DA31
, 2G060DA33
, 2G060HB05
, 2G060HB06
, 2G060HC06
, 2G060HC18
, 2G060HD03
, 2G060JA01
, 2G060JA06
, 2G060KA01
, 2G060KA05
, 5F110AA09
, 5F110AA30
, 5F110BB09
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD21
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE24
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF23
, 5F110GG02
, 5F110GG11
, 5F110GG12
, 5F110NN71
, 5F110QQ01
Patent cited by the Patent:
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