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J-GLOBAL ID：200903015684892609

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 梅原 慎二郎 ,  芦田 裕 ,  佐藤 雅重 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005080311
Publication number (International publication number)：2006261592
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】高集積化が可能であるとともに、固定磁化層からの漏洩磁界のばらつきによる誤書き込みや誤読み出しを抑制しうる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の強磁性層50と、第1の強磁性層50上に形成された非磁性層52と、非磁性層52上に形成された第2の強磁性層54と、第2の強磁性層54の側壁部分に形成された側壁絶縁膜64とを有し、第1の強磁性層50の端部は、側壁絶縁膜64の端部に整合している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層と、 前記第1の強磁性層上に形成された非磁性層と、 前記非磁性層上に形成された第2の強磁性層と、 前記第2の強磁性層の側壁部分に形成された側壁絶縁膜とを有し、 前記第1の強磁性層の端部は、前記側壁絶縁膜の端部に整合している ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G01R 33/09

FI (6)：

H01L43/08 Z ,  H01F10/12 ,  H01F10/26 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

F-Term (19)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5E049BA23 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5E049JC05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR10 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40