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J-GLOBAL ID：200903015692048795

高分子固体電解質薄膜の製造方法および積層方法

Inventor： 三浦 克人 ,  肥後橋 弘喜 ,  柳田 政徳 ,  村永 外志雄
Applicant, Patent owner： ダイソー株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997188230
Publication number (International publication number)：1999039940
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高分子固体電解質薄膜の製造方法および積層方法【解決手段】 式A:【化1】(式中、mが50〜95モル%、nが5〜50モル%、pが0〜10モル%、R1は炭素数1〜12のアルキル基、R2は架橋反応性基を含む置換基、kは1〜4の整数)で示される重量平均分子量が10万〜400万のポリエーテル重合体および電解質塩化合物を、沸点60°C〜300°Cの有機溶媒に溶解させ、これを離型性の基材上に塗布した後、溶媒を除去し、高分子固体電解質薄膜を作製し、得られた薄膜を電極上に転写する。

Claim (excerpt)：

式A:【化1】(式中、mが50〜95モル%、nが5〜50モル%、pが0〜10モル%、R1は炭素数1〜12のアルキル基、R2は架橋反応性基を含む置換基、kは1〜4の整数)で示される重量平均分子量10万〜400万のポリエーテル重合体および電解質塩化合物を、沸点60°C〜300°Cの有機溶媒に溶解させ、これを離型性の基材上に塗布した後、溶媒を除去し、高分子薄膜を形成することを特徴とする高分子固体電解質薄膜の製造方法。

IPC (10)：

H01B 1/12 ,  B29C 41/12 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 71/02 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40 ,  B29K 71:00 ,  B29L 7:00

FI (8)：

H01B 1/12 Z ,  B29C 41/12 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 71/02 ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-154736
  
• 特開昭63-213266
  

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-154736
  
• 特開昭63-213266