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J-GLOBAL ID：200903015701358255

半導体基板

Inventor：
西永 頌

About 西永 頌


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258868
Publication number (International publication number)：2000114178
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高性能電子素子を得るためには、良質の結晶基板が必要であるが、格子定数が同じで結晶欠陥も少なく、しかも安価と3拍子そろった単結晶基板は得られていない。【解決手段】 比較的格子定数が近似しており、安価に得られるアルミナやSiを素材とし、素材基板の上に所定の角度をもった複数の細線スリットを有する絶縁マスクを設け、該細線スリットを介して目的とする III-V族半導体結晶を横方向エピタキシャル成長させる。このようにして得られたエピタキシャル成長層はEPDが極めて低く、半導体素子用基板として極めて有用であり、この基板を使用すれば高性能電子素子を得ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に互いに0度を越える角度をなす複数の細線状の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該複数の露出部を起点として III-V族化合物半導体を成長させ、該マスク上で接合一体化させた III-V族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (20)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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