レジストパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994177148
Publication number (International publication number)：1996045810
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】単独ラインのレジストパターンを、所望のパターン寸法に近い高精度のパターンとして得ることができ、しかも焦点深度のレンジを拡げることができるレジストパターン形成方法を提供する。【構成】所望のパターン12aと所望のパターン12a以外のダミーパターン12bとを配した第1マスク11を用いてレジストを第1露光し、次に、ダミーパターン12bを消失するための第2マスク21を用いてレジストを第2露光し、その後にレジストを現像する。

Claim (excerpt)：

所望のパターンと上記所望のパターン以外のダミーパターンとを配した第1マスクを用いてレジストを第1露光し、次に、上記ダミーパターンを消失するための第2マスクを用いて上記レジストを第2露光し、その後に上記レジストを現像することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-059968 Applicant：富士通株式会社
特開平4-273427
特開昭63-058825

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