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J-GLOBAL ID：200903015727980159
半導体発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991303587
Publication number (International publication number)：1993145183
Application date： Nov. 19, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、発振しきい値電流を大幅に低減し、光ファイバ通信システムの加入者系への拡大やコンピュータ内部の光配線の実現に寄与することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】n型半導体基板2とp型クラッド層4との間にこれらより狭いバンドギャップエネルギーをもつ光閉込め層6が形成され、ダブルヘテロ構造をなしている。光閉込め層6は、光を増幅する活性領域8と発振光に対して透明な光導波領域10とが共振器方向に交互に配置され、周期的利得構造をなしている。活性領域8が配置されている周期Lは、光閉込め層6内における発振光の定在波状の強度分布に対応して発振光の管内波長λの2分の1に等しい周期である。n型半導体基板2底面にはn側電極12が形成され、p型クラッド層4上には共振器方向に3分割されたp側電極14a、14b、14cが形成されている。
Claim (excerpt)：
第1導電型の下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光閉込め層と、前記光閉込め層上に形成された第2導電型の上部クラッド層と、前記下部クラッド層底面に形成された第1の電極と、前記上部クラッド層上に形成された第2の電極とを有する半導体発光装置において、前記光閉込め層は、光を増幅する活性領域と発振光に対して透明な光導波領域とが発振光の管内波長のほぼ2分の1に等しい周期で共振器方向に交互に配置された周期的利得構造をなしており、前記第2の電極は、共振器方向に複数個に分割されており、前記複数個に分割されている前記第2の電極の一部に注入する電流を変化させることにより、出力光の強度又は波長を変調することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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