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J-GLOBAL ID：200903015736280143

薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法

Inventor： ポール・スチーブン・アンドリー ,  エヴァン・ジョージ・コルガン ,  ジョン・シー・フレーク ,  ピーター・フライヤー ,  ウィリアム・グラハム ,  ユージーン・オーサリバン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001090670
Publication number (International publication number)：2001308345
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタ用のオーム接触部の形成を単純化する方法を提供すること。【解決手段】 本発明に従って半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法は、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成することを含む。金属含有層をパターン付けして、半導体デバイスの構成要素を形成し、金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる。半導体デバイスをアニールして、金属含有層から半導体層内にドーパントを外方拡散させことにより、その間にオーム接触部を形成させる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法であって、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成する段階と、前記金属含有層をパターン付けして半導体デバイス用の構成要素を形成する段階と、前記金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる段階と、前記半導体デバイスをアニールすることにより、ドーパントを前記金属含有層から前記半導体層中に外方拡散させて、その間にオーム接触部を形成させる段階とを含む方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/28 301

FI (5)：

H01L 21/225 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭59-181064
  
• 特開昭61-184882
  
• 特開昭62-115868
  
• 特開平1-136373
  
• 特開平2-150067
  
• 特開平2-188928
  
• 特開平3-044968
  
• 特開平3-297172
  
• 特開平4-003469