薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001090670
Publication number (International publication number)：2001308345
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ用のオーム接触部の形成を単純化する方法を提供すること。【解決手段】本発明に従って半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法は、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成することを含む。金属含有層をパターン付けして、半導体デバイスの構成要素を形成し、金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる。半導体デバイスをアニールして、金属含有層から半導体層内にドーパントを外方拡散させことにより、その間にオーム接触部を形成させる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法であって、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成する段階と、前記金属含有層をパターン付けして半導体デバイス用の構成要素を形成する段階と、前記金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる段階と、前記半導体デバイスをアニールすることにより、ドーパントを前記金属含有層から前記半導体層中に外方拡散させて、その間にオーム接触部を形成させる段階とを含む方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/225 , H01L 21/28 301

FI (5)：

H01L 21/225 M , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

特開昭59-181064
特開昭61-184882
特開昭62-115868

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