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J-GLOBAL ID：200903015736950513

被膜形成方法および被膜形成装置

Inventor： 鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司 ,  角谷 正友
Applicant, Patent owner： 鯉沼 秀臣 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 加藤 恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993248483
Publication number (International publication number)：1995006968
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目 的】 基板表面に低温でしかも所望な性質の膜を形成することができる被膜形成方法および被膜形成装置を提供する。【構 成】 基板が載置されている成膜空間内に生成物気体を導入し、成膜空間内で生成物気体を活性化させると共に、成膜空間内に載置された基板を超音波振動させながら基板表面に膜を堆積させる。基板自体に表面弾性波を発生させながら基板表面に膜を堆積させる。超音波の振動数を制御することによって基板表面に形成される膜の性質を制御する。基板は超音波振動する圧電素子の上に載置する。前記圧電素子は、振動発生状態がモニターできる少なくとも一つの参照電極を備えている。基板載置台を超音波振動させることができる。

Claim (excerpt)：

基板が載置されている成膜空間内に生成物気体を導入し、成膜空間内で生成物気体を活性化させると共に、成膜空間内に載置された基板を超音波振動させながら基板表面に膜を堆積させることを特徴とする被膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/17