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J-GLOBAL ID：200903015740742062

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor： 梅田 卓也 ,  岡田 裕幸
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993128874
Publication number (International publication number)：1994338605
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 フォトダイオードの広帯域な分光特性と、周辺回路部MOSFETの高精度なしきい値制御性を実現する。【構成】 高加速イオン注入法により画素部Aと周辺回路部Bの全面の基板深部にp型注入層を形成し、さらにイオン注入法により画素部Aと周辺回路部Bの全面の基板表面に浅いp型注入層を形成し、その後900度から1100度の熱処理温度でp型注入層を拡散することにより、基板表面に形成されるp型ウェル1と基板深部に形成されるp型ウェル2の二重構造のp型ウェルを形成し、フォトダイオードのn型不純物領域4を基板深部のp型ウェル2に侵入するように深く形成し、フォトダイオードの広帯域な分光特性を実現し、また、周辺回路部BのMOSFETのしきい値を独立に制御することを可能とし、周辺回路部BのMOSFETの高精度なしきい値制御性を実現する。

Claim (excerpt)：

フォトダイオードおよびCCD転送チャネルならびに周辺回路部をn型半導体基板に形成したCCD固体撮像装置であって、前記n型半導体基板の主面上の基板表面部と基板深部に二つのピークを持つようにp型ウェルを形成し、前記フォトダイオードのn型不純物領域を前記基板深部の前記p型ウェルに侵入するように深く形成したことを特徴とする固体撮像装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-158575
  
• 特開平1-305571
  
• 特開平4-152675
  
• 特開平2-306661
  
• 特開平4-212417