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J-GLOBAL ID：200903015741283126

圧電体素子およびその形成方法

Inventor： 小牧 一樹 ,  野村 幸治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008488
Publication number (International publication number)：2002217463
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 圧電体素子において、欠陥の少ない高品質の圧電体素子、および圧電体素子に用いられる圧電体薄膜を品質良く形成するための薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Pb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の圧電体薄膜とその圧電体薄膜と振動板もしくは振動板の効果をあわせ持った電極との間にZrを含まない酸化物薄膜を設けることからなるものである。

Claim (excerpt)：

少なくとも圧電体とこの圧電体に電圧を印加するかもしくは圧電体からの電荷を取り出すための電極とから構成され、かつ前記圧電体の伸縮を増加あるいは圧電体の伸縮方向とは別の方向に変位を生じさせるための振動板を設けるか一方の電極が振動板の効果をあわせ持った圧電体素子において、少なくともPb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の圧電体薄膜とその圧電体薄膜と振動板もしくは振動板の効果をあわせ持った電極との間にZrを含まない酸化物薄膜を設けた圧電体素子。

IPC (4)：

H01L 41/09 ,  C23C 14/06 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (4)：

C23C 14/06 N ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

F-Term (8)：

4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• サニタリーショーツ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-341612   Applicant：株式会社ウィズ