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J-GLOBAL ID:200903015747292992
デンドロン、及びこれを配位子とする蛍光性テルビウム錯体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999087967
Publication number (International publication number):2000281618
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Oct. 10, 2000
Summary:
【要約】【課題】 より高輝度のテルビウム錯体を与えることのできる新規なデンドロン、及びこれを用いた従来にない高強度の蛍光能を有し且つ濃度消光の抑制されたテルビウム錯体を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される2置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)、又は、下記一般式(2)で表される3置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン(一般式(2)中、R3〜R5は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)。【化1】【化2】
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表される2置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン。(一般式(1)中、R1 及びR2 は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)【化1】
IPC (3):
C07C 65/34
, C07F 5/00
, C09K 11/06
FI (3):
C07C 65/34
, C07F 5/00 D
, C09K 11/06
F-Term (19):
4H006AA01
, 4H006AB92
, 4H006AC24
, 4H006AC43
, 4H006BA02
, 4H006BA32
, 4H006BA92
, 4H006BB15
, 4H006BB16
, 4H006BB20
, 4H006BB25
, 4H006BB61
, 4H006BC10
, 4H006BC19
, 4H048AA01
, 4H048AB92
, 4H048VA20
, 4H048VA70
, 4H048VB10
Patent cited by the Patent:
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