Pat
J-GLOBAL ID:200903015752273424
感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001393107
Publication number (International publication number):2003195502
Application date: Dec. 26, 2001
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 ArFエキシマレ-ザの波長193nmを含む遠紫外線での露光に適していて,現像液の浸透による膨潤や,パタンの線間にレジスト膜が残るといった解像度劣化の原因を取り除いた高解像度のパタン形成が可能なネガ型の感放射線組成物を提供する。【解決手段】 γ-ヒドロキシカルボン酸をエステル部に持つアクリル酸エステルの重合体(例えば、式(1)で示される繰り返し単位を持つ重合体)と,酸発生剤とを含有してなる感放射線組成物とする。
Claim (excerpt):
γ-ヒドロキシカルボン酸をエステル部に持つアクリル酸エステルの重合体と,酸発生剤とを含有することを特徴とする感放射線組成物。
IPC (7):
G03F 7/038 601
, C08F 20/28
, C08F220/10
, G03F 7/039 601
, G03F 7/20 502
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/038 601
, C08F 20/28
, C08F220/10
, G03F 7/039 601
, G03F 7/20 502
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
F-Term (49):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BD43
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025DA40
, 2H025FA04
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA39
, 2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA12
, 2H096FA01
, 2H096GA09
, 2H096HA23
, 2H096HA30
, 2H097CA13
, 2H097GB00
, 2H097LA10
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL29P
, 4J100BA03H
, 4J100BA03P
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA16H
, 4J100BB18P
, 4J100BC09P
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100DA39
, 4J100FA03
, 4J100HA01
, 4J100HA61
, 4J100HC36
, 4J100JA37
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