半導体レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003060489
Publication number (International publication number)：2004273644
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】モードホップが無く、制御が容易で波長可変域が大きく、素子劣化へ対応が容易である半導体レーザを提供すること。【解決手段】波長選択性を有する活性層502と、利得および波長選択性を有しない導波路コア503と、利得を有しない反射領域(導波路端面)509とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア503の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極506を備えている。また、活性層502が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第1の利得を有する回折格子510を備えている。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

波長選択性を有する利得領域と、利得および波長選択性を有しない導波路領域と、利得を有しない反射領域とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段を備えていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/125

FI (1)：

H01S5/125

F-Term (4)：

5F073AA65 , 5F073AA83 , 5F073BA02 , 5F073EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

光半導体装置、それを含む偏波光スイッチング装置、それを用いた光通信システム及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-021481 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ、その変調方式およびそれを用いた光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-334066 Applicant：キヤノン株式会社
Qスイッチ半導体レーザ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-534834 Applicant：ハインリッヒ-ヘルツ-インステイテユートフユールナツハリヒテンテヒニークベルリンゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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