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J-GLOBAL ID：200903015783633330

半導体基板への不純物拡散領域形成方法

Inventor： 鈴木 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992028693
Publication number (International publication number)：1993226273
Application date： Feb. 15, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高耐圧で導通時の損失が少ないだけでなくゲート・カソード間の逆耐圧が高い静電誘導サイリスタを実現するのに必要なゲート領域用の不純物拡散領域を、容易に、しかも、電極のカバレージ不良の発生を招来せずにすむように半導体基板に形成することができる方法を提供する。【構成】 表面に溝5が形成され溝形成側の面が溝内面を含めて酸化膜で覆われている半導体基板の前記溝の底の酸化膜に、窓8を開けておいて、異方性エッチングを行うことにより前記溝の底に新たな溝9を形成し、この新たな溝の内面から不純物を導入し不純物拡散領域12を形成するようにする半導体基板1への不純物拡散領域形成方法。

Claim (excerpt)：

表面に溝が形成され溝形成側の面が溝内面を含めて酸化膜で覆われている半導体基板の前記溝の底の酸化膜に、窓を開けておいて、異方性エッチングを行うことにより前記溝の底に新たな溝を形成し、この新たな溝の内面から不純物を導入し不純物拡散領域を形成するようにする半導体基板への不純物拡散領域形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/784