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J-GLOBAL ID：200903015787023536

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 小出 典克 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106059
Publication number (International publication number)：1995297446
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶性の向上及び発光強度の向上【構成】発光ダイオード10は、主面の面方位をa軸から1〜4°の範囲で傾けたサファイア基板1を有し、その上に500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.0μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びマグネシウムドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るp層6が形成されている。サファイア基板の面方位を傾斜させることにより、その上に形成される結晶成長膜へMgを均一にド-ピングすることができる。その結果として、発光輝度が向上する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、n型の3族窒化物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>Y</SB>In<SB>1-X-Y</SB>N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、マグネシウム(Mg)のドープされたp型の3族窒化物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>Y</SB>In<SB>1-X-Y</SB>N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるp層とを有する3族窒化物半導体発光素子において、前記サファイア基板の面方位をa軸<11-20>から1〜4°の範囲で傾けたことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 3-5族化合物半導体と発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-070621   Applicant：住友化学工業株式会社