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J-GLOBAL ID：200903015793692466

SOI基板の製造方法

Inventor： 中▲吉▼ 雄一 ,  石井 明洋 ,  橋口 英里子
Applicant, Patent owner： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274178
Publication number (International publication number)：1996107193
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 貼合せウェハに対して研削ストレスをかけず結晶欠陥(ピット)の発生を防止できると共に、従来技術の製造方法に比し生産効率がよいSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 支持基板2と活性基板3を貼り合わせて貼合せウェハ4を得る。活性基板3の上面を平面研削する。ダイシングマシンにカッター1を設ける。貼合せウェハ4を水平方向に回転させると共に、カッター1を活性基板3に対し略垂直に回転させる。カッター1により貼合せウェハ4の外周部に沿った同一面で支持基板2と活性基板3を切断する。

Claim (excerpt)：

支持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を製造するに当たり、貼り合わせた半導体ウェハの外周部を除去する方法において、貼り合わせた半導体ウェハに対して略垂直方向に回転するカッターにより前記半導体ウェハの外周部を切断するようにしたことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/301

FI (2)：

H01L 21/78 R ,  H01L 21/78 A