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J-GLOBAL ID：200903015795681151

光半導体素子

Inventor： 岸 博義
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993100248
Publication number (International publication number)：1994291422
Application date： Apr. 02, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】Al2O3、AlN、Si3N4などを用いながら、高耐久性と0.1%以下の反射率を実現した光学膜を端面に持つ光半導体素子である。【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子1である。光学膜は、2層の誘電体薄膜2、3の組み合わせからなり、端面側の第1の薄膜1は、窒化アルミニウム、窒化シリコンから選ばれる少なくとも1種の材料からなり、第1の薄膜2上に形成される第2の薄膜3は、酸化アルミニウムの材料からなる。また、光学膜は、窒化アルミニウム、窒化シリコンから選ばれる少なくとも1種の材料と、酸化アルミニウムの材料との膜からなる。前者の材料の組成濃度は、端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつ後者の酸化アルミニウムの組成濃度は、端面側が小さく、膜厚方向に徐々に組成濃度が増加している。

Claim (excerpt)：

端面に光学膜を施した光半導体素子において、該光学膜は、2層の誘電体薄膜の組み合わせからなり、該光半導体素子端面側の第1の薄膜は、窒化アルミニウム、窒化シリコンから選ばれる少なくとも1種の材料からなり、該第1の薄膜上に形成される第2の薄膜は、酸化アルミニウムの材料からなることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00