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J-GLOBAL ID：200903015795857780
薄膜加工装置及び方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088908
Publication number (International publication number)：1993291195
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】 試料にイオンビームを照射して加工するイオン照射手段11,12、試料の加工速度または異種材料間の加工速度の選択比を変える反応性ガスを導入するガス導入系31、前記照射により試料から放射される二次電子を検出して加工対象の表面画像を得る検出手段21,22、これから出力される試料の位置制御信号を受けて試料の位置を変更及び固定する試料位置決め手段41,42、試料の加工終了点を検出する加工終点検出手段51,52とを備えたもの。【効果】 極微小の所望の領域を高精度に加工損傷なく所望の厚さに薄膜化できる。
Claim (excerpt)：
試料にイオンビームを照射して加工するイオン照射手段と、前記イオンビームの照射により試料から放射される二次電子及び/又は二次イオンを検出して加工対象の表面画像を得る検出手段と、この検出手段から出力される試料の位置制御信号を受けて載置された試料の位置を変更及び固定する試料位置決め手段と、試料の加工終了を検出する加工終点検出手段と、を備えた薄膜加工装置。
IPC (4)：
H01L 21/302
, H01J 37/22
, H01J 37/30
, H01L 21/265
