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J-GLOBAL ID：200903015799147400

窒化物系化合物半導体の熱処理方法

Inventor： 河合 弘治 ,  朝妻 庸紀 ,  宮嶋 孝夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181417
Publication number (International publication number)：1998012624
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来に比べて高キャリア濃度のp型窒化物系化合物半導体を得ることができる窒化物系化合物半導体の熱処理方法を提供する。【解決手段】 有機金属化学気相成長法により、Mgなどのアクセプタ不純物がドープされたGaNなどの窒化物系化合物半導体を成長させた後、窒素などの不活性ガスと窒素放出過程において窒素を放出しない窒素含有炭化水素とからなる雰囲気中においてその窒化物系化合物半導体を熱処理する。窒素含有炭化水素としては、窒素と結合しているヒドロ基とアルキル基および/またはフェニル基とを含み、かつ、ヒドロ基の数はアルキル基の数とフェニル基の数との和以下であるもの、例えばトリメチルアミンを用いる。

Claim (excerpt)：

アクセプタ不純物がドープされた窒化物系化合物半導体を熱処理することにより上記アクセプタ不純物を活性化させるようにした窒化物系化合物半導体の熱処理方法において、窒素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰囲気中において上記窒化物系化合物半導体を熱処理するようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体の熱処理方法。