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J-GLOBAL ID：200903015803085083

酸素濃度センサ

Inventor： 山崎 信也 ,  杉本 雅裕 ,  藤川 東馬
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035068
Publication number (International publication number)：1995244013
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】加熱用の電極層が容易に剥がれないようにし、ポンピングセル及びセンシングセルを効率よく加熱して活性化させることを目的とする。【構成】基台1とシリコン基板2とによりチャンバ4を形成し、チャンバ4と外部とを接続するピンホール5e、ポンピングホール5a,5b,5d,5f,5h,5i 及びセンシングホール5c,5g をシリコン基板2に形成する。シリコン基板2上面に形成された絶縁膜6上にポンピングホール5a,5b,5d,5f,5h,5i を塞ぐようにポンピングセル8を形成する。絶縁膜6上にセンシングホール5c,5g を塞ぐようにセンシングセル8を形成する。そして、シリコン基板2を露出させるように絶縁膜6にコンタクトホール21a,21b を形成する。コンタクトホール21a,21b を介してシリコン基板2上に一対のヒータ電極層22a,22b を形成する。熱処理により金属電極層22a,22b が当接するシリコン基板2に該金属電極層22a,22b によって化合物層25を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の上面に形成されたシリコン基板と、前記基板とシリコン基板とにより形成された空間部と、前記空間部と外部とを接続するシリコン基板に形成されたピンホールと、前記空間部と外部とを接続するシリコン基板に形成されたポンピングホール及びセンシングホールと、前記シリコン基板の上面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上にポンピングホールを塞ぐように形成されたポンピングセルと、前記絶縁膜上にセンシングホールを塞ぐように形成されたセンシングセルとから構成した酸素濃度センサにおいて、前記シリコン基板を露出させるように前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介してシリコン基板上に形成された加熱用の一対の金属電極層と、熱処理により金属電極層が当接するシリコン基板に該金属電極層によって形成された化合物層とから構成した酸素濃度センサ。

IPC (3)：

G01N 27/419 ,  G01N 27/41 ,  G01N 27/409

FI (4)：

G01N 27/46 327 A ,  G01N 27/46 325 J ,  G01N 27/46 327 H ,  G01N 27/58 B