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J-GLOBAL ID：200903015818782520

ボンデイングパツド形成方法

Inventor： 安竹 秀寿 ,  庄司 茂
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255593
Publication number (International publication number)：1993152372
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 内部応力が大きくなく、かつヤケがないボンディングパッドを提供すること。【構成】 メッキ工程で使用するCu充填メッキ浴の組成を硫酸銅濃度100〜190g/l、硫酸濃度90〜160g/l、光沢剤濃度30〜160ml/l、塩素イオン濃度30〜75ppmとする。

Claim (excerpt)：

基板上の薄膜導体層にダミーパッドを形成する工程と、前記基板のダミーパッド形成面に絶縁物を積層する積層工程と、前記絶縁物の表面を研磨した後に前記ダミーパッドを除去する除去工程と、前記薄膜導体層にメッキしてボンディングパッドを形成するメッキ工程とを有するボンディングパッド形成方法において、前記メッキ工程では、硫酸銅濃度100〜190g/l、硫酸濃度90〜160g/l、光沢剤濃度30〜160ml/l、塩素イオン濃度30〜75ppm、の組成を有するCu充填メッキ浴を用いることを特徴とするボンディングパッド形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/60 301 ,  C25D 3/38 101 ,  C25D 5/02 ,  H05K 3/24