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J-GLOBAL ID：200903015822134494
ヒンジ構造を有する半導体センサとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041224
Publication number (International publication number)：1995249782
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 熱酸化膜の膜応力によりヒンジ部(梁部)が破壊するのを防止する。【構成】 n型のエピタキシャル成長層1aとp型のサブストレート層1bとがシリコンウエハ1の表面側及び裏面側に互いに界面を接して形成され、ウエハ1の中央に質量部9が、周辺に枠部13が、それら両者を隔離する透孔12を挟んで形成されると共に、それら両者を橋絡する梁部(ヒンジ部)10がエピタキシャル成長層によって形成される。梁部の両端の表面付近に拡散抵抗素子5が形成され、ウエハの表面(拡散抵抗素子上の所定部分を除く)と裏面に熱酸化膜2′が一様に形成され、拡散抵抗素子間を電気的に接続して抵抗ブリッジを形成するためのメタル配線7が表面の熱酸化膜上に形成される。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハの表面にエピタキシャル成長層(以下エピ層と言う)を、裏面にサブストレート層(以下サブ層と言う)を互いに界面を接するように形成し、そして得られた試料の両面に熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜を形成した試料両面に、上記エピ層及びサブ層にそれぞれ通ずるエッチング用電極を形成し、それらのエッチング用電極間に逆電圧を印加した状態で、電解エッチングを行って、前記サブ層のウエハ中央部分(質量部を構成する部分)の周りをエッチング除去し、次に試料両面の前記エッチング用電極及び前記熱酸化膜を全てエッチング除去した後、その試料両面に新しく熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜を形成した試料表面の梁部となる部分の両端の前記熱酸化膜の一部を除去し、そして現れた前記エピ層の表面付近に拡散抵抗素子を形成し、次に試料表面の前記熱酸化膜上に、前記拡散抵抗素子相互を電気的に接続して抵抗ブリッジを形成するためのメタル配線を形成し、次に試料の前記エピ層のウエハ中央部分(質量部を構成する部分)の周りをエッチング除去して、島状の質量部とその質量部を透孔を介して取り囲む枠部とをウエハの中央及び周辺にそれぞれ形成すると同時に前記質量部と前記枠部とを橋絡する梁部(ヒンジ部)を前記エピ層に形成することを特徴とする、ヒンジ構造を有する半導体センサの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
