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J-GLOBAL ID：200903015824438253
シリコン単結晶引上げ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097042
Publication number (International publication number)：1994087687
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 シリコン単結晶引上げ装置内の黒鉛製部品にSiO起因物質の析出を防止し部品の劣化を防止し、使用継続期間を延ばし、装置の解体・再組立が簡略化できる装置を提供する。【構成】 不活性ガス雰囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリコン溶融体2を収容するルツボ1と、ヒーター3と、断熱シールド4と、引上げ室6を形成する外装材14と、不活性ガス導入部15と、不活性ガス排気部16とを有し、断熱シールド4は、その内部または上記外装材14との間に通気路17が形成され、通気路17の上方端部に開口部18が形成され、かつ、前記開口部18はルツボ1の開口縁部19に近接した位置に設けられ、通気路17の下方端部は不活性ガス排気部16と連通されてなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により不活性ガス雰囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリコン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けられたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シールドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、引上げ室の下方に設けられた、断熱シールド内周面で囲まれた引上げ室底面以外の該底面部分に設けられた不活性ガス排気部とを有し、断熱シールドは、その内部または上記外装材との間に通気路が形成され、通気路の上方端部に開口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの開口縁部に近接した位置に設けられ、通気路の下方端部は不活性ガス排気部と連通されてなることを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置。
IPC (3)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
