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J-GLOBAL ID：200903015825744536

半導体分布帰還型レーザ装置

Inventor： 羅 毅
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291591
Publication number (International publication number)：1993129719
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 利得結合による光分布帰還を利用した新しい構造の半導体分布帰還型レーザ装置を実現する。【構成】 活性層9の近傍に回折格子の周期で歪超格子を設けることにより、活性層9のバンドギャップを周期的に変調する。

Claim (excerpt)：

誘導放出光を発生する活性層と、この活性層の発生した誘導放出光に光分布帰還を施す帰還手段とを半導体レーザ導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記帰還手段は、前記半導体レーザ導波路を構成する層の少なくとも一つの層の結晶格子定数がレーザ光軸方向に沿って周期的に変化する構造として形成されたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。