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J-GLOBAL ID：200903015867650558
透明導電性積層体及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239145
Publication number (International publication number)：1994071804
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 エレクトロルミネッセンス表示装置において電極占有面積の大きな場合でも光透過率が高く、かつ、発光層との接着強度が充分あり、発光ムラが起き難く、更にはシート抵抗が低い透明導電性積層体、更には該透明導電性積層体を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置を提供するものである。【構成】 有機高分子基体上にインジウム、錫、アンチモンの少なくとも一種類の酸化物からなる透明導電層を形成した後、この透明導電層上に厚さ200Å以下の金属層を被着する透明導電性積層体の製造方法。
Claim (excerpt)：
有機高分子基体上にインジウム、錫、アンチモンの少なくとも一種類の酸化物からなる透明導電層を形成した後、この透明導電層上に厚さ200Å以下の金属層を被着することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
IPC (4)：
B32B 9/00
, B32B 7/02 104
, B32B 15/04
, G09F 13/22
