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J-GLOBAL ID：200903015875122781

微細パターン形成方法

Inventor： 山下 一博 ,  小林 智 ,  玉置 徳彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994005020
Publication number (International publication number)：1995211616
Application date： Jan. 21, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【構成】 高反射率な凹凸を有するシリコン基板11上に少なくとも2種類以上の屈折率を有する反射防止薄膜14,15をプラズマCVDで堆積し、反射薄膜14,15上にレジスト16を塗布し、レジスト16を露光現像することにより微細パターンを形成する。【効果】 シリコン基板上に堆積された反射防止薄膜の膜厚変化が多少生じても十分な反射防止効果を得ることが出来る。

Claim (excerpt)：

高反射率な凹凸を有する半導体基板上に少なくとも2種類以上の多層の反射防止薄膜をプラズマCVDで堆積する工程と、前記反射薄膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光現像後、前記多層反射膜をドライエッチングにより除去する工程とを備えた微細パターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503