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J-GLOBAL ID：200903015891700426

平面インダクタ素子とその製造方法

Inventor： 冨士田 廣志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997042231
Publication number (International publication number)：1998241983
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板上にメッキ法により平面インダクタ素子を形成する場合、レジスト膜厚に実用上の露光限界があるため、メッキ導体膜の膜厚に限界があり、コイルの低抵抗化に制約が生じる。【解決手段】 露光現像して形成した第1のレジストパターン24を用い、第1の導体膜26をメッキ法により形成する。その後、露光現像して形成した第2のレジストパターン34を用い、第2の導体膜36をメッキ法により第1の導体膜26上に形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた第1の導体膜上にレジストを塗布し、第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして、メッキにより前記第1の導体膜上に第1のメッキ導体膜パターンを形成する工程と、前記第1のメッキ導体膜パターン及び前記第1のレジストパターン上にレジストを塗布し、前記第1のメッキ導体膜パターンを露出させるように第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして、メッキにより前記第1のメッキ導体膜パターン上に第2のメッキ導体膜パターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターン及び前記第1のレジストパターンを除去する工程と、前記第1のメッキ導体膜パターンと第2のメッキ導体膜パターンを絶縁体で埋め込む工程とを具備することを特徴とする平面インダクタ素子の製造方法。

IPC (3)：

H01F 41/04 ,  H01F 17/00 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01F 41/04 C ,  H01F 17/00 B ,  H01L 21/88 B