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J-GLOBAL ID：200903015893221320
半導体レーザモジユール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186687
Publication number (International publication number)：1993037062
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの変調帯域を大幅に改善する。【構成】 半導体レーザ1と光ファイバ6と前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段3を備えている。気密パッケージ内に少なくとも前記半導体レーザと、半導体レーザ駆動用のバイアス回路を設けた誘電体基板を有している。そして、前記バイアス回路内のインダクタを固定する部分に対応して誘電体基板の下に空洞部が設けられる。これによって、変調特性が改善できる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザと、光ファイバと、前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段を有し、気密パッケージ内に少なくとも前記半導体レーザと、該半導体レーザ駆動用のバイアス回路を設けた誘電体基板を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記誘電体基板の下に空洞部を設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
Patent cited by the Patent：
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