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J-GLOBAL ID：200903015894953481

光学装置

Inventor： 丸谷 幸利 ,  佐原 健志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257825
Publication number (International publication number)：1997102647
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発光部と受光部とをそれぞれ別途独立して設計するとともに、凹凸面において反射光が広範囲に散乱・回折等を起こすことを防ぎ、製造が容易で不良品の発生率の低い信頼性の高い光学装置を提供する。【解決手段】 (100)結晶面から〔01-1〕結晶軸方向に9.7°±2°傾いた結晶面を主面とする共通の半導体基板上に、半導体多層膜からなり、この半導体多層膜の膜面と直交して形成された相対向する両側面を水平共振器端面とする水平共振器型構成の半導体レーザと、水平共振器の少なくとも一方の端面に対向して〔011〕結晶軸方向と39°±2°の角度に設定された端面を有する選択的エピタキシャル成長マスクと、選択的エピタキシャル成長マスクの端面とこの端面と対向する端面との間に選択的にエピタキシャル成長によって形成された{011}結晶面による反射鏡とを有してなる光学装置を構成する。

Claim (excerpt)：

(100)結晶面から〔01-1〕結晶軸方向に9.7°±2°傾いた結晶面を主面とする共通の半導体基板上に、半導体多層膜からなり、該半導体多層膜の膜面と直交して形成された相対向する両側面を水平共振器端面とする水平共振器型構成の半導体レーザと、上記水平共振器の少なくとも一方の端面に対向して〔011〕結晶軸方向と39°±2°の角度に設定された端面を有する選択的エピタキシャル成長マスクと、該選択的エピタキシャル成長マスクの上記端面と該端面と対向する端面との間に選択的にエピタキシャル成長によって形成された{011}結晶面による反射鏡とを有してなることを特徴とする光学装置。