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J-GLOBAL ID：200903015899407213
n型炭化珪素単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293268
Publication number (International publication number)：1994219898
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Aug. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高品質な6H形のn型炭化珪素単結晶を再現性良く製造する。【構成】 成長方位<0001>の炭化珪素単結晶基板1を種結晶として黒鉛製坩堝3の蓋4の内面に取り付ける。黒鉛製坩堝3内には不純物割合が1ppm以下である高純度の炭化珪素粉末及び炭化珪素粉末に対して50ppmのアルミニウム粉末を原料2として充填する。黒鉛製坩堝3を種結晶付きの蓋4で閉じて二重石英管5の内部に設置する。Arガス及びN<SB>2</SB>ガスを二重石英管5の内部に流し、炭化珪素粉末及びアルミニウム粉末(原料2)が2300°Cになり炭化珪素単結晶基板1(種結晶)が2200°Cになるようにし、二重石英管5内を30torrにして種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる。こうして得られた炭化珪素単結晶は炭化珪素単結晶基板1から成長最表面まで均一で欠陥も少なく、抵抗率が0.5Ω・cmである高品質な6H形のn型炭化珪素単結晶である。
Claim (excerpt)：
種結晶を用いた昇華再結晶法によって6H形のn型炭化珪素単結晶を成長させるn型炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素粉末にこの炭化珪素粉末に対する割合が20重量ppm乃至100重量ppmのアルミニウムを添加したものを原料とし、この原料を窒素を含有する不活性ガス雰囲気下で昇華させることを特徴とするn型炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2)：
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