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J-GLOBAL ID：200903015899728141
光電子放出面およびそれを用いた電子管と光検出装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218609
Publication number (International publication number)：1995073801
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 光電変換量子効率の優れた光電子放出面、光電子増倍機能を有する高感度の電子管、高感度の光検出装置を提供する。【構成】 光電子放出面は、入射光を吸収して光電子を励起するp型半導体の一側面に絶縁層と引出し電極が順次積層され、p型半導体の他の側面にコンタクト層が形成され、引出し電極側を高電位とする電圧が、引出し電極とコンタクト層との間に印加される。そして、p型半導体の一側面に光が入射すると、励起されて該一側面側に移動する光電子を、上記所定極性の電圧によって上記引出し電極と該一側面との間に形成される電界により、光電子を放出する構造となっている。更に、かかる構造の光電子放出面を内蔵し、放出された光電子を電子増倍する電子管を構成する。更に、かかる電子管を光検出部に適用することで高感度の光検出装置を実現する。
Claim (excerpt)：
入射光を吸収して光電子を励起するp型半導体と、上記p型半導体の一側面に積層された絶縁層と、上記絶縁層に積層された引出し電極と、上記引出し電極と上記p型半導体の他の側面との間に所定極性の電圧を印加するために該側面に形成されたコンタクト層とを具備し、上記p型半導体の一側面に光が入射すると、励起されて該一側面側に移動する光電子を、上記所定極性の電圧によって上記引出し電極と該一側面との間に形成される電界により、光電子を放出することを特徴とする光電子放出面。
IPC (2)：
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