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J-GLOBAL ID:200903015916320771
磁気記録媒体及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
山下 穣平
, 永井 道雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006347663
Publication number (International publication number):2008159177
Application date: Dec. 25, 2006
Publication date: Jul. 10, 2008
Summary:
【課題】アモルファス磁性膜からなる記録層を含む磁気記録媒体において、該アモルファス磁性膜に微細な安定磁区を形成する。【解決手段】基板と、該基板上に形成されたグラニュラー層と、該グラニュラー層上に形成されたアモルファス磁性膜からなる記録層と、を少なくとも有する磁気記録媒体であって、該グラニュラー層は、Fe、Co、Niのうち少なくとも1種類の元素とPt、Pdのうち少なくとも1種類の元素を主成分とする複数の柱状磁性体と、該柱状磁性体を取り囲むSiO2、Al2O3、MgOのうち少なくとも1種類の酸化物を主成分とする非磁性体マトリックス領域と、を含み、及び、該柱状磁性体の平均直径は、2nm以上6nm以下の範囲内であり、かつ前記柱状磁性体の平均周期は、4nm以上8nm以下の範囲であることを特徴とする。【選択図】図5
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に形成されたグラニュラー層と、該グラニュラー層上に形成されたアモルファス磁性膜からなる記録層と、を少なくとも有する磁気記録媒体であって、
該グラニュラー層は、Fe、Co、Niのうち少なくとも1種類の元素とPt、Pdのうち少なくとも1種類の元素を主成分とする複数の柱状磁性体と、該柱状磁性体を取り囲むSiO2、Al2O3、MgOのうち少なくとも1種類の酸化物を主成分とする非磁性体マトリックス領域と、を含み、及び、該柱状磁性体の平均直径は、2nm以上6nm以下の範囲内であり、かつ前記柱状磁性体の平均周期は、4nm以上8nm以下の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (3):
G11B 5/66
, G11B 5/738
, G11B 5/851
FI (3):
G11B5/66
, G11B5/738
, G11B5/851
F-Term (11):
5D006BB01
, 5D006CA05
, 5D006DA03
, 5D112AA03
, 5D112AA05
, 5D112AA17
, 5D112AA24
, 5D112BB01
, 5D112FA04
, 5D112GB01
, 5D112GB10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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磁気記録媒体の製造方法、
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-192638
Applicant:東北大学長
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光磁気記録媒体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-050405
Applicant:富士通株式会社
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