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J-GLOBAL ID：200903015920257707

薄膜形成装置及び方法

Inventor： 中島 淳 ,  太田 謙一 ,  大野 幸夫
Applicant, Patent owner： 太陽誘電株式会社
Agent (1)： 北條 和由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179977
Publication number (International publication number)：1995078768
Application date： Jun. 26, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基体の全幅にわたって均一で安定した膜厚の薄膜を形成することができるようにすると共に、機能性薄膜の形成を容易にする。【構成】 トンネル状の原料の誘導路16a、16bが2本設けられており、これらの誘導路16a、16bは、その中央部で直交状に交差し、その交差した部分が薄膜を形成する基体aを収納する成膜室14となっている。成膜室4の下部には、基体aを載せるサセプタ17と、基体aを加熱するヒータ3とが設けられている。2つの誘導路16a、16bから成膜室14に同時に原料を送らず、交互に原料を送り、基体a上に薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜を形成する基体(a)を収納する成膜室(14)と、成膜室(14)に収納された基体(a)を加熱するヒータ(13)と、原料溶液の霧または気体を発生し、前記成膜室(14)に霧化または気化された原料を供給する原料供給器(11a)、(11b)と、薄膜形成に消費されなかった原料を成膜室(14)から排出する排出口(15a)、(15b)とを有する薄膜形成装置において、成膜室(14)に供給される霧化または気化された原料の進行方向が互いに異なるように、原料供給器(11a)、(11b)と排出口(15a)、(15b)とが複数設けられたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/31