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J-GLOBAL ID:200903015938950230

半導体デバイス製造におけるパターン転写法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001252337
Publication number (International publication number):2002158192
Application date: Aug. 23, 2001
Publication date: May. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 凹凸パターンが形成された型をレジスト膜にプレスして行うパターン転写において、プレス後のレジスト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチングによって実現する。【解決手段】 凹凸型をプレスした後のレジスト膜を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。あるいは、プレス時の型の加熱温度をレジスト膜の熱劣化温度に設定して型をプレスすることにより、レジスト膜を選択的に変性させた後、ウエットエッチングを行なう。
Claim (excerpt):
基板上への回路パターンの転写に際し、基板上に形成された高分子材料のレジスト膜を凹凸を有する凹凸型によってプレスして行う半導体デバイス製造におけるパターン転写において、凹凸型のプレスによって形成されたレジスト膜の凸パターン部分と凹パターン部分を紫外線のマスクとして使用し、レジスト膜に紫外線照射させて、レジスト膜に変性部と非変性部を選択的に形成すること特徴とする半導体デバイス製造におけるパターン転写方法。
IPC (5):
H01L 21/30 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027 ,  H01J 9/02
FI (7):
H01L 21/30 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 501 ,  H01J 9/02 A ,  H01J 9/02 F ,  H01J 9/02 R ,  H01L 21/30 561
F-Term (24):
2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA13 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA16 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA30 ,  2H096GA02 ,  2H096JA02 ,  2H096KA02 ,  5C027AA01 ,  5C027BB01 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10

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