Pat
J-GLOBAL ID：200903015940169243
フォトマスク
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996309263
Publication number (International publication number)：1998148928
Application date： Nov. 20, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 複雑なマスクパターンを用いることなく、近接効果を補正し、目的の感光性樹脂形状を得る。【解決手段】 透明基板1上に遮光膜2によりラインパターン12を形成し、ラインパターン12の先端には段差部3をエッチングにより形成し、露光光に対して10〜90度の位相差を生じさせている。この位相差の若干異なる光の干渉により結像面での光強度を低下させ、ラインの縮みを防止できる。
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光パターンを有するフォトマスクであって、遮光パターンは、透明照明により感光性樹脂に所定形状のパターンを転写するものであって、ハーフトーン部を有し、ハフトーン部は、遮光パターン近傍の透明領域に設けられ、透過光の位相を10〜90°の範囲に変化させるものであることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
