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J-GLOBAL ID：200903015943834884

可視光半導体レーザ

Inventor： 廣山 良治 ,  庄野 昌幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 丸山 敏之 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126951
Publication number (International publication number)：1993327110
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 リッジ埋め込み型半導体レーザにおいて、コンタクト層とクラッド層間のエッチングレートの相違に起因する結晶の損傷や素子の劣化を阻止する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層3、n-(Al<SB>Z</SB>Ga<SB>1-Z</SB>)InP活性層4、及びストライプ状のリッジ部10を有するp-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5が形成されると共に、前記クラッド層5のリッジ部10上にはp-GaInPコンタクト層7、リッジ部10両側にはn-GaAs電流阻止層8・8を形成している。更に、p-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5とp-GaInPコンタクト層7の間には、p-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5よりもアルミニウム組成比Y(0<Y<X)の小さいp-(Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>)InP中間層6が形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板(1)上に、第1導電型クラッド層(3)、活性層(4)、及びストライプ状のリッジ部(10)を有する第2導電型クラッド層(5)が形成されると共に、前記第2導電型クラッド層(5)のリッジ部(10)上には第2導電型コンタクト層(7)、リッジ部(10)両側には第1導電型電流阻止層(8)(8)を形成した可視光半導体レーザにおいて、前記第2導電型クラッド層(5)はアルミニウムを含む化合物から形成され、第2導電型クラッド層(5)とコンタクト層(7)の間には、第2導電型クラッド層(5)と同一の化合物からなり、且つ第2導電型クラッド層(5)よりもアルミニウム組成比の小さい第2導電型中間層(6)が形成されていることを特徴とする可視光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-346603   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-033987
  
• 特開平4-085981