Pat

J-GLOBAL ID：200903015958608082

ワークの処理方法および装置

Inventor： 山上 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994213385
Publication number (International publication number)：1996078368
Application date： Sep. 07, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 少ない処理液により高品質の処理を行い得るようにする技術を提供する。【構成】 半導体ウエハWは第1の処理部材11に支持ピン2により支持されるようになっており、第1の処理部材11の平坦な対向面1aと半導体ウエハWの被処理面Waとの間には隙間3が形成される。第1の処理部材11に対向する第2の処理部材12と半導体ウエハWの被処理面Wbとの間には隙間4が形成される。それぞれの隙間3,4には、処理液が供給されるようになっており、処理液はそれぞれの隙間3,4の中に毛細管現象により広がり、それぞれの被処理面Wa,Wbが処理される。次いで、それぞれの隙間3,4の中に乾燥用のガスを供給することにより、処理液が除去されるとともに、被処理面Wa,Wbが乾燥処理される。

Claim (excerpt)：

平坦な対向面を有する第1の処理部材に板状ワークをこの板状ワークの一方の被処理面を前記対向面に対向させて設置するとともに平坦な対向面を有する第2の処理部材を前記板状ワークの他方の被処理面に対向させて設置して前記板状ワークの両面と前記それぞれの処理部材の対向面との間に隙間を形成する工程と、前記2つの処理部材の少なくとも一方を回転させるかあるいは両方を停止させた状態のもとで前記それぞれの隙間に処理液を供給する工程と、前記2つの処理部材の少なくとも一方を前記板状ワークとともに回転させた状態のもとで前記それぞれの隙間に乾燥用ガスを供給する工程とを有するワークの処理方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 361 ,  B08B 3/02 ,  C23G 3/00 ,  H01L 21/306