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J-GLOBAL ID：200903015969331988
多層回路基板の製造方法及びマスクの位置合せ方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993157742
Publication number (International publication number)：1995142862
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多層回路基板の製造方法及びマスクの位置合せ方法に関し、各層に形成される導体パターンの関係位置精度が高い多層回路基板を得ること、及び基板マークとマスクマークとが容易に且つ高精度に位置合できること目的とする。【構成】 フォトリソグラフィ手法により、基板の表面に絶縁層と導体パターンとを交互に形成して多層回路基板を製造するにあたり、離れた位置にある2つの物体を同時に焦点合せ可能な顕微鏡を用いて、基板10上の基板マーク10Mと感光性樹脂絶縁膜13-1又はフォトレジスト上に載置したガラスマスク20のマスクマーク20Mとの、位置合せを行なう工程と、マスクマーク20Mの形成領域を覆う枠形の遮光エリア30-1が形成された遮光フィルム30を、ガラスマスク20に展着した後に、露光・現像する工程とを含む構成とする。
Claim (excerpt)：
フォトリソグラフィ手法により、基板の表面に絶縁層と導体パターンとを交互に形成して多層回路基板を製造するにあたり、離れた位置にある2つの物体を同時に焦点合せ可能な顕微鏡を用いて、該基板(10)上の基板マーク(10M) と感光性樹脂絶縁膜(13-1)又はフォトレジスト上に載置したガラスマスク(20)のマスクマーク(20M) との位置合せを行なう工程と、 該マスクマーク(20M) の形成領域を覆う枠形の遮光エリア(30-1)が形成された遮光フィルム(30)を、該ガラスマスク(20)に展着した後に、露光・現像する工程とを、含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
IPC (5)：
H05K 3/46
, G03F 7/207
, G03F 9/00
, H01L 21/027
, H05K 3/00
