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J-GLOBAL ID:200903015974025380

表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997256178
Publication number (International publication number):1999085059
Application date: Sep. 05, 1997
Publication date: Mar. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 画素開口率が大きく、クロストークが発生しない表示素子、この表示素子の駆動方法及び製造方法を提供する。【解決手段】 有機ELパネル1は、光アドレス部Adと表示部Dpとに分けられる。基板10には屈折率を変えた導光路10aが設けられている。光アドレス部Adの有機EL素子1Aは、選択的に発光させられる。発光した光は、導光路10aを通じて行毎に表示部Dpのフォトトランジスタ16に入射する。フォトトランジスタ16は、ベースに導光路10aからの光が入射すると、コレクタ-エミッタ間電圧(実質的にデータ電極15及び電極19間に印加した電圧に応じた電圧)に応じてコレクタ-エミッタ間に電流が流れる。これによって、表示部Dpの有機EL素子1Bが表示すべき画像データに応じた輝度で発光する。
Claim (excerpt):
所定の電圧を印加することによって光を発する複数の第1の発光素子と、前記複数の第1の発光素子のそれぞれが発した光を導く複数の導光路と、前記導光路を通じて導かれた前記第1の発光素子からの光を吸収することによって内部にキャリアを発生する複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子のそれぞれの一端に接続され、画像データに応じた電圧が印加されるデータ電極と、前記複数のアクティブ素子のそれぞれの他端に接続され、内部に電流が流れることによって光を発する複数の第2の発光素子と、を備える、ことを特徴とする表示素子。
IPC (6):
G09F 9/30 365 ,  F21V 8/00 601 ,  F21V 8/00 ,  G09G 3/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26
FI (6):
G09F 9/30 365 C ,  F21V 8/00 601 D ,  F21V 8/00 601 B ,  G09G 3/30 J ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26

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