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J-GLOBAL ID：200903015987287740

半導体装置

Inventor： 北村 芳隆 ,  壺井 修
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302627
Publication number (International publication number)：1994151889
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】加速を受けて変形する上側の電極とこれに対向する下側の電極とを有する加速度計に関し、上側の可動電極とこれに対向する下側の電極との密着を防止することを目的とする。【構成】加速を受ける錘部3と、間隙2を介して前記錘部3を囲む枠状の固定部1と、前記固定部1と前記錘部3を下から懸架する梁部4と、弾性導電材より形成されて前記固定部1と前記錘部3とを連結し、中央に浮き上がり部を備えた上部電極5と、前記固定部1のうち前記上部電極5に対向する領域に形成された下部電極27,28と、少なくとも前記上部電極5と前記下部電極27、28のいずれか一方に形成され、かつ、対向する面との間に間隙を有する突起25とを含み構成する。

Claim (excerpt)：

錘部(3)と、間隙(2)を介して前記錘部(3)を囲む枠状の固定部(1)と、前記錘部(3)を懸架する梁部(4)と、弾性導電材より形成されて前記固定部(1)と前記錘部(3)とを連結し、中央に浮き上がり部を有する上部電極(5)と、前記固定部(1)のうち前記上部電極(5)に対向する領域に形成された下部電極(27,28)と、前記上部電極(5)と前記下部電極(27,28)の少なくとも一方に形成され、かつ、対向する面との間に間隙を有する突起(25)とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/08