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J-GLOBAL ID：200903015995489948

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶素子と有機発光素子

Inventor： 滝本 昭雄 ,  小森 一徳 ,  杉浦 久則 ,  西山 和廣
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012178
Publication number (International publication number)：1998209459
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大型ディスプレイ装置において、良好な画質を得るための特性の良好な有機薄膜トランジスタと、それを用いた液晶素子及び有機発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 ゲート電極2、ソース電極6、ドレイン電極5の3端子及び活性半導体層4からなる薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜3と活性半導体層4が(化2)と(化1)の高分子からなり、それらが連続して成膜される。【化1】【化2】

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子及び活性半導体層と絶縁層からなる薄膜トランジスタにおいて、前記活性半導体層が(化1)で現される高分子であり、前記絶縁層が(化2)で現される高分子であり、前記活性半導体層と前記絶縁層が連続して結合されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【化1】【化2】

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/33 ,  G09F 9/35 307 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336

FI (9)：

H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 365 B ,  G09F 9/33 K ,  G09F 9/35 307 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 A