Pat

J-GLOBAL ID：200903016000203970

高耐圧半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた電力変換装置

Inventor： 真柄 正隆 ,  望月 康弘 ,  村上 進 ,  横田 武司 ,  斉藤 克明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308980
Publication number (International publication number)：1994163881
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高耐圧と高信頼を共に有する高耐圧半導体装置とその製造方法及びその半導体装置を用いた電力変換装置を提供すること。【構成】 半導体基板の円周端面の二重ベベル加工により断面径寸法が最小になっている点Sから、nベース層1の中にn+型高濃度不純物層を円周面の全周にわたって形成し、これによりチャネルストッパとしての働きが得られるようにしたもの。【効果】 この反転層を介してnベ-ス表面に隣接するpベ-ス層2とpエミッタ層3が連結されるのが防止されるため、漏れ電流の経時的な増大はなく、順方向阻止耐圧の劣化を生じないので、高耐圧、高信頼性が達成できる。

Claim (excerpt)：

少なくともnエミッタ層とpベース層、nベース層、それにPエミッタ層を順次備えたほぼ円板状の半導体基板の円周端面に、上記nベース層内で上記半導体基板の断面径寸法が最小になるようにして二重正ベベル加工が施された高耐圧半導体装置において、上記半導体基板の円周端面の二重正ベベル加工により最小断面径寸法となっている部分の表面から上記nベース層内の全周にわたって該nベース層よりも高不純物濃度のn型半導体層を設け、該n型半導体層によりチャネルストッパが形成されるように構成したことを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/74 ,  H02M 7/04 ,  H02M 7/515