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J-GLOBAL ID：200903016002517654

プラズマ気相成長装置

Inventor： 和田 隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014881
Publication number (International publication number)：1993209278
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】気密状態のチャンバー内にプロセスガスを導入し、そこでプラズマを発生させてウェハー上に薄膜を形成する際、均熱板のゆがみによって生じる成長膜厚面内ばらつきの低減を図る。【構成】ヒーターがヒーターA5,ヒーターB11に分割され、それぞれに自動温調器A6と熱電対A9,および自動温調器B12と熱電対B13を備え、それぞれ分割されたヒーターを独立して制御する機構を備えている。

Claim (excerpt)：

気密状態のチャンバー内にプロセスガスを導入し、そこでプラズマを発生させることによりヒーター加熱された被処理基板上に薄膜を形成するプラズマ気相成長装置において、複数のゾーンに分割された前記ヒーター温度を独立に制御する機構を備えることを特徴とするプラズマ気相成長装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31